Диод (SPICE-модель)#
Внешний вид блока в REPEAT VISION#
Блок Диод (SPICE-модель) представляет собой SPICE-модель диода, в которую добавлено параллельное сопротивление для учета эффектов утечки. Блок реализует следующую схему замещения:
Схема замещения#
Схем замещения содержит следующие элементы:
\(C_d\) – емкость p-n-перехода. Определяется аналитически в зависимости от параметров блока и напряжения на p-n-переходе;
\(I_d\) – источник тока, формирующий ток p-n-перехода. Определяется аналитически в зависимости от параметров блока и напряжения на p-n-переходе;
\(R_L\) – активное сопротивление, имитирующее паразитное параллельное сопротивление (эффект утечки);
\(R_S\) – активное сопротивление, имитирующее паразитное последовательное сопротивление.
Блок может реализует одно из двух условий:
наличие нелинейной зависимости от температуры;
отсутствие нелинейной зависимости от температуры.
Общим уравнением для двух условий зависимости от температуры является уравнение (1):
где:
\(k\) – постоянная Больцмана, \(k=1.38 \cdot 10^{-23}\) [Дж/К];
\(T\) – температура диода, [К];
\(q\) – элементарный электрический заряд электрона, \(q=1.602 \cdot 10^{-19}\) [Кл].
При отсутствии нелинейной зависимости от температуры используются следующие уравнения (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10), (11), (12):
При наличии нелинейной зависимости от температуры используются следующие уравнения (13), (14), (15), (16), (17), (18), (19), (20), (21), (22), (23), (24), (25), (26), (27), (28), (29), (30), (31), (32):
1. Свойства#
Свойство |
Значение по умолчанию |
Описание |
Единицы измерения |
|---|---|---|---|
RL – активное сопротивление утечки |
100000.0 |
– |
Ом |
T – температура диода |
25.0 |
– |
℃ |
AREA – относительная площадь диода |
1.0E7 |
– |
о.е. |
IKF – предельный ток при высоком уровне инжекции |
0.0042 |
– |
А |
VJ – контактная разность потенциалов |
1.0 |
– |
В |
M – коэффициент плавности p-n-перехода |
0.5 |
– |
– |
IBV – Начальный ток пробоя, соответствующий обратному напряжению пробоя |
1.0E-10 |
– |
А |
BV – обратное напряжение пробоя |
1.0E7 |
– |
В |
NBV – коэффициент неидеальности на участке пробоя |
1.0 |
– |
– |
IBVL – начальный ток пробоя низкого уровня |
0.0 |
– |
А |
NBVL – коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня |
1.0 |
– |
– |
IS – ток насыщения |
1.0E-15 |
– |
А |
ISR – параметр тока рекомбинации |
0.0 |
– |
В |
RS – активное последовательное сопротивление (объемное) |
0.0 |
– |
Ом |
N – коэффициент эмиссии |
1.0 |
– |
– |
NR – коэффициент эмиссии для тока рекомбинации |
2.0 |
– |
– |
CJO – барьерная ёмкость при нулевом смещении |
0.0 |
– |
Ф |
TT – время переноса носителей заряда |
0.0 |
– |
с |
FC – коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода |
0.5 |
– |
– |
выкл |
– |
– |
|
TMEAS – температура диода при измерении параметров |
25.0 |
– |
℃ |
XTI – температурный коэффициент IS, доступно при выборе |
3.0 |
– |
– |
EG – энергетический барьер (ширина запрещенной зоны), доступно при выборе |
1.11 |
– |
эВ |
TIKF – линейный температурный коэффициент для IKF, доступно при выборе |
0.0 |
– |
– |
TBV1 – линейный температурный коэффициент для BV, доступно при выборе |
0.0 |
– |
– |
TBV2 – квадратичный температурный коэффициент для BV, доступно при выборе |
0.0 |
– |
– |
TRS1 – линейный температурный коэффициент для RS, доступно при выборе |
0.0 |
– |
– |
TRS2 – квадратичный температурный коэффициент для RS, доступно при выборе |
0.0 |
– |
– |
2. Входы и выходы#
Параметры |
вход/выход |
Описание |
Единицы измерения |
Тип порта |
|---|---|---|---|---|
Анод |
Вход |
- |
- |
Электроника |
Катод |
Выход |
- |
- |
Электроника |
Для того, чтобы посмотреть возможности подключения блока необходимо перейти на страницу Описание портов блоков